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IRF350中文资料场效应管(MOSFET)数据手册NTE规格书

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厂商型号

IRF350

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

NTE NTE Electronics

数据手册

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更新时间

2025-11-25 20:14:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF350

  • 生产厂家

    :NTE

  • 漏源电压(Vdss)

    :400V

  • 连续漏极电流(Id)

    :14A

  • 功率(Pd)

    :150W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :110nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :2.6nF@25V

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

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