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NCE3415Y	文件：268.87 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3415Yusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotested. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3415Y	文件：495.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PJA3415	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3415A	文件：298.6 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3415AE	文件：327.34 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET??ESDProtected	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3415AE-AU	文件：471.42 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET–ESDProtected Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-4.3A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA3415-AU	文件：1.49008 Mbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-4.0A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJM3415PSA	文件：1.31265 Mbytes Page：6 Pages	SiliconP-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
PJM3415PSC	文件：6.57682 Mbytes Page：6 Pages	SiliconP-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
PTFA3415	文件：507.88 Kbytes Page：2 Pages	Horizontallevelsensor	CELDUCcelduc Relais 凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司	CELDUC

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详细参数

型号：
IRF3415STRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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