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MPS3415	文件：58.69 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3414,MPS3414seriesdevicesaresiliconNPNtransistors,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,designedforgeneralpurposeandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS3415C	文件：52.62 Kbytes Page：1 Pages	NPNTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MSP3415D	文件：472.95 Kbytes Page：71 Pages	MultistandardSoundProcessors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MSP3415E	文件：370.73 Kbytes Page：6 Pages	-20V(D-S)P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSP3415G	文件：1.54156 Mbytes Page：98 Pages	MSP34x5GMultistandardSoundProcessorFamily [Micronas] Introduction TheMSP34x5Gfamilyofsingle-chipMultistandardSoundProcessorscoversthesoundprocessingofallanalogTVstandardsworldwide,aswellastheNICAMdigitalsoundstandards.ThefullTVsoundprocessing,startingwithanalogsoundIFsignal-in,downtoprocessedanal	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MTSM3415-HRY	文件：41.64 Kbytes Page：1 Pages	MarktechSOT??3SMTLEDs FEATURES •SOT-23package •Waterclear •Capableofpulseoperation •Packagedontapewith3,000partsperreel	Marktech Marktech Corporate	Marktech
NCE3415	文件：289.95 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3415	文件：495.17 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE3415A	文件：495 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE3415E	文件：247.15 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3415Eusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotested. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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详细参数

型号：
IRF3415STRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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