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IRFP254	文件：621.78 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmoutinghole.Italsoprovidesgreatercreepagedistancebetweenpinstomee	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：1.55662 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：529.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254A	文件：247.49 Kbytes Page：7 Pages	$GYDQFHG3RZHU026)(7 FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowRDS(ON):0.108Ω(Typ.)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP254A	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP254B	文件：670.77 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP254N	文件：222.26 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=125mohm,Id=23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP254N	文件：159.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatthesePowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesign	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254NPBF	文件：177.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
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