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IRFP150N	文件：725.62 Kbytes Page：3 Pages	100V,60AHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150PBF	文件：1.44982 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150PBF	文件：1.50788 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150R	文件：67.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150V	文件：531.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150VPBF	文件：169.9 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFS150	文件：265.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS150	文件：343.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=27.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRF150R
功能描述：
AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF150S	IR	22+	TO-263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF150S	IR	23+	TO-263	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF150S	IR	23+	TO-263	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF150S	IR	23+	TO-263	7000		询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	IRF150S	IR	24+	TO-263	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市联世界科技有限公司	IRF151	GE	24+/25+		25	原装正品现货库存价优	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF151	IR	24+	TO-3	10000		询价
深圳市福田区绿盛电子商行	IRF151	IR	2015+	TO-3(铁帽)	19889	一级代理原装现货,特价热卖!	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRF151	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海金庆电子技术有限公司	IRF151	UNMARKED	新		20	全新原装货期两周	询价

更多IRF150R供应商更新时间2025-7-29 14:00:00

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