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1310	文件：142.48 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VSinglePhaseBridge4.5A-5.0AForwardCurrent70ns-3000nsRecoveryTime 200V-1,000VSinglePhaseBridge 4.5A-5.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	VMI Voltage Multipliers Inc.	VMI
1310	文件：138.98 Kbytes Page：2 Pages	200V-1,000VSinglePhaseBridge [VOLTAGEMULTIPLIERSINC.] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 4.5A-5.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1310A	文件：144.25 Kbytes Page：2 Pages	SpeakerCable,4C#14StrBC-OFHC,PVCJkt,CM,DIRBUR,Flexible ProductDescription SpeakerCable,4Conductor14AWG(105x34)Oxygen-FreeBareCopper(HighConductivity),PEInsulation,PVCJacket,CM,DirectBurial,Flexible	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
IRF1310N	文件：96.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1310NL	文件：156.84 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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