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IRL1104	文件：90.45 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104L	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104LPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104PBF	文件：172.66 Kbytes Page：9 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：194.25 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologyLogic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104S	文件：203.35 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IRL1104SPBF	文件：222.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=40V RDS(on)=0.008Ω ID=104A Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandrugged	IRF International Rectifier	IRF
IS1104	文件：545.4 Kbytes Page：10 Pages	SwitchingModePowerSupply	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
ISF1104	文件：295.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISP1104	文件：494.75 Kbytes Page：19 Pages	AdvancedUniversalSerialBustransceiver Generaldescription TheISP1104UniversalSerialBus(USB)transceiveriscompliantwiththeUniversalSerialBusSpecificationRev.2.0.TheISP1104cantransmitandreceiveUSBdataatfull-speed(12Mbit/s).ItallowssingleanddifferentialinputmodesselectablebyaMODEinput. Features ■	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多IRF1104STRL-LF供应商更新时间2025-5-23 14:00:00

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