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IRFD024	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.10ohm,Id=2.5A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD024	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024	文件：421.42 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •ForAutomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：651.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD024PBF	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD024PBF	文件：421.43 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE024	文件：23.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE024	文件：229.13 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET?쏷RANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitytheyneedtoincreasecircuitboarddensity.InternationalRe	IRF International Rectifier	IRF
IRFE024	文件：230.2 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF024	文件：132.63 Kbytes Page：7 Pages	60V,N-CHANNEL TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsof	IRF International Rectifier	IRF
IRFF024	文件：16.63 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFL024	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=2.8A) VDSS=55V RDS(on)=0.075Ω ID=2.8A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024N	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=2.8A) VDSS=55V RDS(on)=0.075Ω ID=2.8A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NPBF	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5mΩ ID=5.1A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NPBF	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024NTR	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF

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更多IRF024N供应商更新时间2024-9-24 11:47:00

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