IR6618资料使用说明书贸易商英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IR6618>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
A6618	文件：552.24 Kbytes Page：9 Pages	CMOSLOWDROPOUTREGULATOR(LDO)600mAADJUSTABLE,ULTRA-LOWNOISE,ULTRA-FAST DESCRIPTION A6618 seriesisagroupofpositivevoltageoutput, lowpowerconsumption,lowdropoutvoltage regulator. A6618 canprovideoutputvalueadjustablefrom0.8V to5.0V. A6618 includeshighaccuracyvoltagereference, erroramplifier,currentlimitcircuitandoutputdriver mod	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AP6618GM-HF	文件：100.58 Kbytes Page：4 Pages	LowOn-resistance,FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AWU6618	文件：872.94 Kbytes Page：10 Pages	HELP3EDual-bandIMT&EGSMWCDMA3.4VLinearPowerAmplifierModule	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
CGA-6618	文件：323.83 Kbytes Page：5 Pages	DUALCATVBROADBANDHIGHLINEARITYGAASHBTAMPLIFIER ProductDescription StanfordMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesl	STANFORDStanford Microdevices Stanford Microdevices	STANFORD
CGA-6618	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
CGA-6618	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618Z	文件：427.06 Kbytes Page：10 Pages	DUALCATV1MHzto1000MHzHIGHLINEARITYGaAsHBTAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sCGA-6681(Z)isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurren	RFMD RF Micro Devices	RFMD
CGA-6618Z	文件：297.61 Kbytes Page：8 Pages	DualCATV1MHzto1000MHzHighLinearityGaAsHBTAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevice’sCGA-6618isahighperformanceGaAsHBTMMICAmplifier.DesignedwiththeInGaPprocesstechnologyforexcellentreliability.ADarlingtonconfigurationisutilizedforbroadbandperformance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesle	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
GSC6618	文件：275.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM6618A	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6618B	文件：2.14584 Mbytes Page：7 Pages	integratedUSBType-C	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRF6618	文件：234.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6618combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618	文件：230.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheIRF6609combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618PBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618PBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618TRPBF	文件：250.25 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6618TRPBF	文件：240.91 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET짰PowerMOSFET짰 Description TheIRF6618PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
LMH6618	文件：1.1904 Mbytes Page：28 Pages	PowerWise짰130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6618	文件：1.12851 Mbytes Page：26 Pages	130MHz,1.25mARail-to-RailInputandOutputOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6618	文件：2.37257 Mbytes Page：38 Pages	130MHz,1.25mARRIOOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

12 3 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市胜彬电子有限公司	IR6618	IR	22+	SOP	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IR6622	IR	22+	QFN	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IR6622	IR	23+	QFN	8000	只做原装现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IR6626	IR	21+ROHS	SMD	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市一线半导体有限公司	IR6675-56	CONEXANT	00+	QFP	5040		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IR6675-56	CONEXANT	1923+	QFP	3000	绝对进口原装现货	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	IR6675-56	CONEXANT	23+	QFP	3200	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳庞田科技有限公司	IR6675-56	CONEXANT	2023+环保现货	QFP	60000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	IR6709	IR	20+	SMD	5000	原装正品	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IR67-21/TR8	EVERLIGHT/亿光	23+	NA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多IR6618供应商更新时间2024-5-26 16:42:00

相关规格书

相关库存