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IR3315SPBF	文件：1.20867 Mbytes Page：13 Pages	LOW EMI CURRENT SENSE HIGH SIDE SWITCH 文件：1.20867 Mbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF3315	文件：124.98 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：124.98 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF3315L	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：197.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：197.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IR3315SPBF
功能描述：
功率驱动器IC 40V 20A
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
MOSFET Gate Drivers
类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大：
30 V
电源电压-最小：
2.75 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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