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ISCN218N	文件：285.7 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) •HighSwitchingSpeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforswitchingregulatorandgeneralpurpose applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JHV218	文件：107.05 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
K218	文件：2.36299 Mbytes Page：4 Pages	HIGHPOWERLATCHINGRELAY ApplicationNotes 1.Itispossiblethatduringtransitorfinalassemblytherelaycouldchangestate.Therefore,itisrecommendedthatallrelaysbesettothedesiredstateviaapowersupply. 2.Inordertomaintainan“Open”or“Closed”stateoftherelay,thecoilvoltageshouldreachthe	KGKG Technologies, Inc. 宏发科技宏发科技股份有限公司	KG
KV218	文件：177.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerWirewoundCeramicResistors,vertical	VITROHM vitrohm	VITROHM
LA218B-XGX	文件：102.23 Kbytes Page：5 Pages	LEDARRAY	LIGITEK Ligitek electronic	LIGITEK
LM218	文件：342.23 Kbytes Page：11 Pages	FASTGENERAL-PURPOSEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM218	文件：753.94 Kbytes Page：16 Pages	FASTGENERAL-PURPOSEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM218	文件：564.93 Kbytes Page：16 Pages	FASTGENERAL-PURPOSEOPERATIONALAMPLIFIERS SmallSignalBandwidth...15MHzTyp SlewRate...50V/μsMin BiasCurrent...250nAMax(LM118, LM218) SupplyVoltageRange...±5Vto±20V InternalFrequencyCompensation InputandOutputOverloadProtection SamePinAssignmentsas General-PurposeOperationalAmplifiers d	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM218H	文件：597.13 Kbytes Page：18 Pages	OperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM218-N	文件：1.58631 Mbytes Page：25 Pages	LM118-N/lm218-N/LM318-NOperationalAmplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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