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ISGM2175	文件：807 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Lowswitchinglosses ·Highshortcircuitcapability ·Optionalultrafastdiode APPLICATIONS ·Spacesavings ·Easytomountwith2screws ·Highpowerdensity	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JT2175FA	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
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RF2175	文件：109.32 Kbytes Page：6 Pages	3V400MHZLINEARAMPLIFIER ProductDescription TheRF2175isahigh-power,high-efficiencylinearamplifierICtargeting3Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinTETRAhandheld	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

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