IR21531S中文资料半桥驱动器 LO 与 RT 同相,具有可编程振荡频率,死区时间为 0.6µs,采用 8 引脚 SOIC 封装,并且具有不同相位数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IR21531S |
参数属性 | IR21531S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | 半桥驱动器 LO 与 RT 同相,具有可编程振荡频率,死区时间为 0.6µs,采用 8 引脚 SOIC 封装,并且具有不同相位 |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 10:19:00 |
人工找货 | IR21531S价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IR21531S规格书详情
描述 Description
自激振荡 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。
特性 Features
• 集成 600 V 半桥栅极驱动器
• Vcc 上的 15.6 V 齐纳箝位
• 真正的微功耗启动
• 更严格的初始死区时间控制
• 低温系数下的死区时间
• CT 引脚上的关断特性 (1/6th Vcc)
• 增加欠压锁定迟滞 (1 V)
• 较低功耗的电平移位电路
• 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
• 高边输出与 RT 同相
• 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
• 所有引脚上均具有 ESd 保护
优势:
• 集成 600V 半桥栅极驱动器
• Vcc 上的 15.6V 齐纳箝位
• 真正的微功耗启动
• 更严格的初始死区时间控制
• 低温系数下的死区时间
• CT 引脚上的关断特性 (1/6th Vcc)
• 增加欠压锁定迟滞 (1V)
• 较低功耗的电平移位电路
• 启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
• 高边输出与 RT 同相
• 内部为 50nsec(典型)的自举二极管 (IR21531D)
• 所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
• 所有引脚上均具有 ESd 保护
• 也有无铅封装可选
应用 Application
• 照明荧光灯镇流器
• 初级侧
简介
IR21531S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IR21531S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
:IR21531S
- 生产厂家
:Infineon
- Product Status
:active and preferred/active and preferred
- Voltage Class
:600 V
- Output Current Source
:0.18 A
- Output Current Sink
:0.26 A
- Channels
:2
- Configuration
:Half Bridge
- Qualification
:Industrial
- Isolation Type
:Functional levelshift
- Switch Type
:IGBT/MOSFET
- Package name
:SOIC 8N/SOIC 8N
- UVLO Input Off
:8 V
- Input Vcc min
:10 V
- Input Vcc max
:15.6 V
- Output Vbs min
:9.3 V
- Output Vbs max
:15.6 V
- Rise Time max
:150 ns
- Rise Time
:80 ns
- Fall Time max
:100 ns
- Fall Time
:45 ns
- UVLO Input On
:9 V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
20+ |
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8-SOIC(0.154 |
3216 |
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