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IX2127G	文件：1.37021 Mbytes Page：11 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver Description TheIX2127isahigh-voltage,high-speedpowerMOSFETandIGBTdriver.High-voltagelevel-shiftcircuitryenablesthisdevicetooperateupto600V.Clare’sproprietarycommon-modedesigntechniquesprovidestableoperationinhighdV/dtnoiseenvironments. Features •Floati	Clare Clare, Inc.	Clare
IX2127G	文件：1.64069 Mbytes Page：12 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver	Clare Clare, Inc.	Clare
IX2127G	文件：291.16 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET&IGBTDriver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IX2127N	文件：1.37021 Mbytes Page：11 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver Description TheIX2127isahigh-voltage,high-speedpowerMOSFETandIGBTdriver.High-voltagelevel-shiftcircuitryenablesthisdevicetooperateupto600V.Clare’sproprietarycommon-modedesigntechniquesprovidestableoperationinhighdV/dtnoiseenvironments. Features •Floati	Clare Clare, Inc.	Clare
IX2127NTR	文件：1.37021 Mbytes Page：11 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver Description TheIX2127isahigh-voltage,high-speedpowerMOSFETandIGBTdriver.High-voltagelevel-shiftcircuitryenablesthisdevicetooperateupto600V.Clare’sproprietarycommon-modedesigntechniquesprovidestableoperationinhighdV/dtnoiseenvironments. Features •Floati	Clare Clare, Inc.	Clare
IX2127NTR	文件：1.64069 Mbytes Page：12 Pages	High-VoltagePowerMOSFET&IGBTDriver	Clare Clare, Inc.	Clare
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JMCL2127F-D	文件：324.77 Kbytes Page：7 Pages	CircularConnectorsforSolderTerminationsConformingtoJIS-C-5432 ◆FEATURES 1.MiniatureandHighDensity Thecontactsavailableinthisseriesare#20and#16 2.5KeystoPreventMismating Theshellhasfivekeys.Alternateinsertpositionseliminatetheconnectormismatingifmorethanoneconnector withthesamesizeandarrangementistobeusedina	DDK DDK Ltd.	DDK

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