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IQE065N10NM5CG中文资料OptiMOS ™低压功率 MOSFET 100 V,PQFN 3.3x3.3源极向下封装具有业界领先的 RDS(on) 和卓越的热性能。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IQE065N10NM5CG

功能描述

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 100 V,PQFN 3.3x3.3源极向下封装具有业界领先的 RDS(on) 和卓越的热性能。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-18 18:47:00

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IQE065N10NM5CG规格书详情

描述 Description

OptiMOS ™ 5 100 V PQFN 3.3x3.3源极朝下 MOSFET 具有 6.5 mOhm 的低 RDS(on) ,带有翻转的硅芯片,该芯片在组件内部倒置放置。这使得源极电位(而不是漏极电位)可以通过导热垫连接到 PCB。因此,它具有多种优势,例如增强的热能力、提高的功率密度或改善的布局可能性。

特性 Features

• RDS(on)大幅降低 30%
• 提供标准栅极和中心栅极
• 全新、优化的布局可能性

技术参数

  • 制造商编号

    :IQE065N10NM5CG

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @10V)

    :34 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :6.5 mΩ

  • VDSmax

    :100 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Package

    :PQFN 3.3x3.3 Source-Down

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

  • Special Features

    :Center-Gate

  • Budgetary Price €/1k

    :0.92

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