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IQE013N04LM6CG中文资料OptiMOS ™低压功率 MOSFET 40V,PQFN 3.3x3.3具有行业领先 RDS(on) 的源极向下中心栅极封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IQE013N04LM6CG

功能描述

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 40V,PQFN 3.3x3.3具有行业领先 RDS(on) 的源极向下中心栅极封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 9:38:00

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IQE013N04LM6CG规格书详情

特性 Features


优势:
• High current capability
• More efficient use of PBC area
• Highest power density and performance
• Optimized footprint for MOSFET parallelization with Center-Gate

应用 Application

• Drives
• SMPS

• Server

• Telecom

• OR-ing

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