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IQE006NE2LM5CG数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IQE006NE2LM5CG

功能描述

采用PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS™ 25V低压功率MOSFET具有业界领先的RDS(on)。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IQE006NE2LM5CG规格书详情

特性 Features


优势:
• 更高的电流能力
• 最高的功率密度和性能
• 更小的外形尺寸
• 以更小的封装提供与 Super SO8 相同的性能
• 优化的 PCB 寄生元件
• 更低的 RthJA 和 RthJC
• 更佳的功率损耗转移
• 支持双面冷却(外露夹子)
• 源极底置封装易于适应现有 PCB
• 中心门极选件实现优化的并联应用

应用 Application

• 驱动器
• 电信系统
• SMPS
• 服务器
• Oring

技术参数

  • 制造商编号

    :IQE006NE2LM5CG

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IQE006NE2LM5CGATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TTFN-9

  • VDS max

    :25 V

  • RDS (on) @10V max

    :0.65 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :0.8 mΩ

  • QG typ @10V

    :61.7 nC

  • QG typ @4.5V

    :28.5 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :1.2 V

  • VGS(th) max

    :2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

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