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IPTG063N15NM5	文件：1.65361 Mbytes Page：13 Pages	Marking：063N15N5；Package：PG-HSOG-8；MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPTC063N15NM5	文件：1.7642 Mbytes Page：13 Pages	MOSFETOptiMOSTM5Power-Transistor,150V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IQD063N15NM5CG	文件：1.13004 Mbytes Page：11 Pages	MOSFETOptiMOSTM5Power-Transistor,150V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Superiorthermalresistance •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IQD063N15NM5CGSC	文件：857.38 Kbytes Page：12 Pages	MOSFETOptiMOS™5Power‑Transistor,150V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Optimizeddesignfordoublesidecooling •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •Verylowreverserecoverycharge(Qrr)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IQD063N15NM5SC	文件：1.08362 Mbytes Page：12 Pages	MOSFETOptiMOS™5Power‑Transistor,150V Features •N‑channel,normallevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Optimizeddesignfordoublesidecooling •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21 •Verylowreverserecoverycharge(Qrr)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多IPTG063N15NM5供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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