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IPTC017N10NM5LF2中文资料OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性 FET 2 100 V、1.7 mΩ、351 A,采用 TOLT 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPTC017N10NM5LF2

功能描述

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性 FET 2 100 V、1.7 mΩ、351 A,采用 TOLT 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:10:00

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IPTC017N10NM5LF2规格书详情

描述 Description

IPTC017N10NM5LF2 是英飞凌一流的 OptiMOS ™ 5 线性 FET 2 100 V,采用 TO 引线顶部封装。提供业界最低的 RDS(on) 和 25˚C 下的宽 SOA。IPTC017N10NM5LF2 结合了 OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术与 TOLT 封装,旨在提供最高功率密度,适用于浪涌电流保护应用,例如热插拔、电子保险丝以及电池管理系统 (BMS) 中的电池内保护。

特性 Features

• 宽安全操作区 (SOA)

• 低 RDS(on)

• 与线性 FET 相比,IGSS 更低

• 优化传输特性

应用 Application

• 电信基础设施

技术参数

  • 制造商编号

    :IPTC017N10NM5LF2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @10V)

    :165 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.7 mΩ

  • VDSmax

    :100 V

  • VGS(th)

    :3.1 V

  • Package

    :TOLT (HDSOP-16)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

  • Special Features

    :Wide SOA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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