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IPT65R060CFD7中文资料集成快速体二极管的 650 V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPT65R060CFD7

参数属性

IPT65R060CFD7 封装/外壳为8-PowerSFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:HIGH POWER_NEW

功能描述

集成快速体二极管的 650 V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择
HIGH POWER_NEW

封装外壳

8-PowerSFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:58:00

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IPT65R060CFD7规格书详情

特性 Features


优势:
• Excellent hard-commutation ruggedness
• Extra safety margin for designs with increased bus voltage
• Enabling increased power density
• Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications
• Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications
• Price competitiveness compared to alternative offerings in the market

应用 Application

• Fast EV charging
• Server power supply
• Solutions for solar energy systems
• Telecom infrastructure

简介

IPT65R060CFD7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPT65R060CFD7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IPT65R060CFD7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    PG-HSOF-8-3

  • 封装/外壳:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    HIGH POWER_NEW

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