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IPT65R190CFD7中文资料The 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IPT65R190CFD7 |
参数属性 | IPT65R190CFD7 封装/外壳为8-PowerSFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 650V 8HSOF |
功能描述 | The 650 V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode is the perfect choice for resonant high power topologies |
封装外壳 | 8-PowerSFN |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
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IPT65R190CFD7规格书详情
特性 Features
优势:
• Excellent hard-commutation ruggedness
• Extra safety margin for designs with increased bus voltage
• Enabling increased power density
• Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications
• Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications
• Price competitiveness compared to alternative offerings in the market
应用 Application
• Fast EV charging
• Server power supply
• Solutions for solar energy systems
• Telecom infrastructure
简介
IPT65R190CFD7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPT65R190CFD7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号:
IPT65R190CFD7XTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
CoolMOS™ CFD7
- 包装:
卷带(TR)
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
TOLL
- 封装/外壳:
8-PowerSFN
- 描述:
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
50 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-HSOF-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-HSOF-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
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24+ |
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23+ |
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Infineon/英飞凌 |
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PG-HSOF-8 |
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