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IPT65R125CFD7分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IPT65R125CFD7 |
| 参数属性 | IPT65R125CFD7 封装/外壳为8-PowerSFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：HIGH POWER_NEW |
| 功能描述 | 650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
1.50643 Mbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 13:36:00 |
| 人工找货 | IPT65R125CFD7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IPT65R125CFD7规格书详情
IPT65R125CFD7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IPT65R125CFD7晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
特性 Features
• Ultra-fast body diode
• 650V break down voltage
• Best-in-class RDS(on)
• Reduced switching losses
• Low RDS(on) dependency over temperature
Benefits
• Excellent hard commutation ruggedness
• Extra safety margin for designs with increased bus voltage
• Enabling increased power density solutions
• Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications
• Improved full load efficiency in industrial SMPS applications
• Price competitiveness over previous CoolMOS™ families
产品属性
更多- 产品编号：
IPT65R125CFD7XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-HSOF-8-3
- 封装/外壳：
8-PowerSFN
- 描述：
HIGH POWER_NEW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
50 |
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Infineon(英飞凌) |
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Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-HSOF-8 |
9600 |
原装现货，欢迎询价 |
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INFINE0N |
21+ |
PG-HSOF-8 |
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Infineon Technologies |
24+ |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-HSOF-8 |
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