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IPT65R099CFD7分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

IPT65R099CFD7
厂商型号

IPT65R099CFD7

参数属性

IPT65R099CFD7 封装/外壳为8-PowerSFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:MOSFET N-CH 650V 8HSOF

功能描述

650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device
MOSFET N-CH 650V 8HSOF

文件大小

1.49555 Mbytes

页面数量

14

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 18:08:00

IPT65R099CFD7规格书详情

Features

• Ultra-fast body diode

• 650V break down voltage

• Best-in-class RDS(on)

• Reduced switching losses

• Low RDS(on) dependency over temperature

Benefits

• Excellent hard commutation ruggedness

• Extra safety margin for designs with increased bus voltage

• Enabling increased power density solutions

• Outstanding light load efficiency in industrial SMPS applications

• Improved full load efficiency in industrial SMPS applications

IPT65R099CFD7属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。英飞凌科技股份公司制造生产的IPT65R099CFD7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IPT65R099CFD7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    CoolMOS™ CFD7

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    TOLL

  • 封装/外壳:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 650V 8HSOF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
2023
4800
公司原装现货/支持实单
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Infineon/英飞凌
23+
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Infineon/英飞凌
23+
PG-HSOF-8
25630
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PG-HSOF-8
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