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IPP60R199CP中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPP60R199CP规格书详情
• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.199Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPP60R199CP
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 16A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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PG-TO220-3 |
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