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IPU06N03LAG	文件：418.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU06N03LB	文件：313.44 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU06N03LZ	文件：510.76 Kbytes Page：11 Pages	Idealforhigh-frequencydc/dcconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU06N03LZG	文件：510.76 Kbytes Page：11 Pages	Idealforhigh-frequencydc/dcconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NDT06N03	文件：1.49366 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PJ06N03D	文件：145.62 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD06N03	文件：145.46 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=6mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPD06N03LA	文件：902.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
IPP06N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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