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IPW65R190CFD	文件：6.53687 Mbytes Page：20 Pages	650VCoolMOSC6CFDPOWERTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFD2seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Applic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW65R190CFDA	文件：2.19785 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPX65R190CFD	文件：3.83053 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFD2seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Applic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IRW65R190CFD	文件：6.53687 Mbytes Page：20 Pages	MetalOxideSemiconduvtorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™CFD2seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Applic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMF65R190P	文件：312.85 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF65R190P	文件：1.2094 Mbytes Page：10 Pages	650V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R190PTH	文件：322.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF65R190PTH	文件：1.2094 Mbytes Page：10 Pages	650V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R190P	文件：1.20266 Mbytes Page：10 Pages	650V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

详细参数

型号：
IPI65R190CFD
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262
功能描述：
COOL MOS - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英科美电子有限公司	IPI65R190CFD	INFINEON/英飞凌	24+	TO-262	17222	原装进口假一罚十	询价
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京海半导体(深圳)有限公司	IPI65R190CFD	INFINEON	21+	TO-262	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多IPI65R190CFD供应商更新时间2025-5-24 14:04:00

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