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IRW65R190CFD	文件：6.53687 Mbytes Page：20 Pages	Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS™ CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Applic 文件：6.53687 Mbytes 页数：20 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
MMF65R190P	文件：1.2094 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.19(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.2094 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF65R190P	文件：312.85 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：312.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF65R190PTH	文件：1.2094 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.19(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.2094 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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更多IRW65R190CFD供应商更新时间2025-12-1 16:10:00