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IPI26CNE8N G中文资料MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPI26CNE8N G
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：85V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：26 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 39µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：31nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：2070pF @ 40V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：71W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO262-3
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO262-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
I2PAK (TO-262) |
7000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO262-3 |
105000 |
500个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO262-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
I2PAK(TO-262) |
8866 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO262-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
询价 |
