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IPI08CN10N G中文资料MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPI08CN10N G
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：95A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：8.5 毫欧 @ 95A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 130µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：100nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：6660pF @ 50V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：167W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO262-3
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
PG-TO262-3-1 |
8866 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-262 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
PG-TO262-3-1 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO262-3 |
32365 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
达高TECCOR |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 |
