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IPI05CN10N G中文资料MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPI05CN10N G

功能描述

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 12:01:00

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技术参数

  • 型号:

    IPI05CN10N G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
INFINEON/英飞凌
23+
PG-TO262-3-1
32322
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
IR
23+
D-pak
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
Infineon/英飞凌
23+
TO262-3
8000
只做原装现货
询价
INFINEON
24+
PG-TO262-3-1
8866
询价
Infineon Technologies
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原厂渠道,现货配单
询价
INFINEON
21+
TO262-3
10000
原装现货假一罚十
询价
Infineon
22+
NA
2118
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询价
INFINEON
23+
PG-TO262-3-1
7000
询价
Infineon Technologies
23+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原装正品,支持实单
询价