IPG20N06S2L-35MOS(场效应管)技术资料参数-114ic电子网

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IPG20N06S2L-35	文件：167.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSPower-Transistor Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPG20N06S2L-35A	文件：208.06 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •DualN-channelLogicLevel-Enhancementmode •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested •Feasibleforautomaticopticalinspection(AOI)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPG20N06S4-15	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TDSON-8	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司上传：深圳市科芯源微电子有限公司	Infineon
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更多IPG20N06S2L-35MOS(场效应管)供应商更新时间2025-7-31 16:20:00