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IPD90N06S3-06中文资料OptiMOS-T Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD90N06S3-06

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 14:12:00

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技术参数

  • 型号:

    IPD90N06S3-06

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 6mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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