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IPD80R4K5P7数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPD80R4K5P7

功能描述

效率和散热性能的新基准

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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IPD80R4K5P7规格书详情

描述 Description

800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足性能,易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用,包括适配器和充电器,LED驱动器,音频SMPS,辅助和工业电源。
与其前代产品相比,这一新产品系列可提供高达0.6%的效率增益;与典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品想相比,MOSFET温度降低2°C至8°C。它还通过降低开关损耗和改善DPAK R DS(on)产品,实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。

特性 Features

• 同类中较为出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss
• 同类中较为出色的 DPAK R DS(on) 280mΩ
• 同类中较为出色的 V (GS)th,3V,和最小 V (Gs)th 变动 ± 0.5V
• 集成齐纳二极管 ESD 保护,最高可达 2 级(HBM)
• 出色的质量和可靠性
• 完全优化的组合

优势:
• 比之CoolMOS C3,此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益,MOSFET温度降低2°C至8°C。
• 支持更高的功率密度设计、节省BOM和降低装配成本
• 易于驱动和设计
• 通过减少ESD相关故障,提高产量
• 减少生产问题,减少外部退货
• 易于选择合适的零件来优化设计

应用 Application

• 适配器
• LED
• 音频
• 工业 SMPS
• 辅助电源

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD80R4K5P7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD80R4K5P7ATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO252-3

  • VDS max

    :800 V

  • RDS (on) @10V max

    :4500 mΩ

  • ID @25°C max

    :1.5 A

  • QG typ @10V

    :4 nC

  • Special Features

    :price/performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :2.5 V

  • VGS(th) max

    :3.5 V

  • Technology

    :CoolMOS™ P7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
1740+
TO-252
1300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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INFINEON
23+
TO-252-3
50000
原装正品 支持实单
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Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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Infineon
23+
PG-TO252-3
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
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Infineon/英飞凌
23+
PG-TO252-3
25630
原装正品
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Infineon/英飞凌
23+
PG-TO252-3
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买原装认准中赛美
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INFINEON/英飞凌
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Infineon/英飞凌
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PG-TO252-3
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