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IPD65R650CE中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD65R650CE

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

335.97 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2026-1-29 11:10:00

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IPD65R650CE规格书详情

• DESCRITION

• Fast switching

• Very high commutation ruggedness

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on)≤0.65Ω

• Enhancement mode:

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

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