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IPD15N06S2L64	文件：331.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD15N06S2L-64	文件：153.63 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：153.63 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD15N06S2L-64	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 64 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPD30N03S4L-14	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	INFINEON/英飞凌上传：深圳安世裕电子科技有限公司	INFINEON/英飞凌

详细参数

型号：
IPD15N06S2L
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET - Tape and Reel
功能描述：
OptiMOS Pwr 55V 64mOhm 19A

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