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IIPA90R500C3	文件：330.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfastswitchingPowerSupply •FEATURES •Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.5Ω@10V •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPP90R500C3	文件：339.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.5Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIPW90R500C3	文件：336.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤500mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA90R500C3	文件：330.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfastswitchingPowerSupply •FEATURES •Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.5Ω@10V •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA90R500C3	文件：371.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPI90R500C3	文件：265.59 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP90R500C3	文件：298.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP90R500C3	文件：339.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.5Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW90R500C3	文件：336.47 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤500mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW90R500C3	文件：569.57 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •QuasiResonantFlyback/Forwardtopologi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPC90R500C3
功能描述：
MOSFET COOLM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	IPC90R500C3X1SA1	Infineon	24+	TO220-3	17900	MOSFET管	询价
深圳市科雨电子有限公司	IPC90R500C3X1SA1	INFINEON	1809+	SMD	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多IPC90R500C3供应商更新时间2025-7-29 14:26:00

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