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IPC313N10N3R数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IPC313N10N3R

参数属性

IPC313N10N3R 封装/外壳为模具;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRENCH \u003e=100V

功能描述

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品
TRENCH \u003e=100V

封装外壳

模具

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 19:14:00

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IPC313N10N3R规格书详情

描述 Description

英飞凌的 OptiMOS ™ 100V、120V 和 150V 系列结合了非常低的导通电阻 (R DS(on)) 和最快的开关行为,为广泛的工业和消费应用提供出色的性能。从大电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器,英飞凌的产品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空间要求。

特性 Features

• 出色的开关性能
• 优异的 R DS(on) 和 FOM
• 低 Q g 和 Q gd

简介

IPC313N10N3R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPC313N10N3R晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IPC313N10N3R

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@10V) max

    :100 mΩ

  • RDS (on)

    :1.9 mΩ

  • VBRDSSmax

    :100 V

  • VDS

    :100 V

  • VDSmax

    :100 V

  • VGS(th)

    :2 V to 3.5 V

  • Thickness

    :220

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

  • Polarity

    :N

  • Mode

    :Enhancement

  • Die Size(Y)

    :5.2 mm

  • Die Size(Area)

    :31.26 mm²

  • Die Size(X)

    :6 mm

  • Output Drivers

    :1

  • Budgetary Price €/1k

    :2.52

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
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23+
NA
15500
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