IPC-610-L资料datasheet下载批发采购第4页-114ic电子网

首页 >IPC-610-L>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRF610STRRPBFA	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS610A	文件：257.8 Kbytes Page：7 Pages	AdvencedPowerMOSFET(N-CHANNEL) FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS610A	文件：59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS610B	文件：866.99 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •3.3A,200V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical7.2nC) •LowCrss(typical6.8pF) •Fastswitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL610	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):1.185Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL610A	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):1.185Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL610A	文件：280.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI610A	文件：237.77 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=1.5Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

<<<1 2 345 6 >>>

详细参数

型号：
IPC-610-L
制造商：
ADVANTECH
制造商全称：
Advantech Co., Ltd.
功能描述：
4U 15-Slot Rackmount Chassis with Front-Accessible Fan

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市易讯博科技有限公司	IPC-610MB-00FEE	Advantech	22+	NA	6878	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IPC-610MB-00XHE	ADVANTECH	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	IPC-610P4-30XF	ADV	23+		65480		询价
深圳市科雨电子有限公司	IPC65R037C6X1SA2	INFINEON	1809+	SMD	326	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPC65R037C6X1SA2	Infineon Technologies	22+		9000	原厂渠道,现货配单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IPC65R037C6X1SA2	Infineon Technologies	23+		9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPC65R037C6X1SA2	INFINEON	23+	-	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IPC65R037C6X1SA2	INFINEON	23+	-	7000		询价

更多IPC-610-L供应商更新时间2025-5-29 10:08:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号