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IPB80N06S3-07中文资料OptiMOS-T Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB80N06S3-07

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌

数据手册

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更新时间

2026-10-4 16:30:00

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技术参数

  • 型号:

    IPB80N06S3-07

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
PG-TO263-3D2-PAK(T
8866
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO263-3-2
14100
原装正品
询价
Infineon Technologies
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ADI
23+
TO-263-2
7000
询价
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
Infineon
22+
SOT263
20000
公司只做原装 品质保障
询价
INENOI
08+
SOT263
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
Infineon
22+
TO-263
6000
十年配单,只做原装
询价
INFINEON/英飞凌
26+
TO263-3-2
43600
全新原装现货,假一赔十
询价
Infineon Technologies
21+
PG-TO263-3-2
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
询价