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IPB200N25N3G	文件：427.94 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id 文件：427.94 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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型号：
IPB200N25N3G
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

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更多IPB200N25N3G供应商更新时间2024-3-26 15:06:00