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IPB049N06L3GATMA1中文资料MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB049N06L3GATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：4.7 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 58µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：50nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：8400pF @ 30V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：115W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
4508 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON |
15+ |
TO-263 |
110 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO263 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO263 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
