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IRFR5305TRLPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305TRLPBF	文件：817.18 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR5305TRPBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305TRPBF	文件：3.86247 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305TRPBF	文件：1.00738 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFRU5305	文件：156.72 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5305	文件：156.72 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU5305	文件：3.75106 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU5305	文件：304.5 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU5305	文件：854.59 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheIRFU5305usesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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