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IP5305T	文件：2.5113 Mbytes Page：35 Pages	support High and low voltage SCP, two-way PD3.0 and other mobile power SOCs with all fast charging protocols characteristic SupportmultipleUSBportsatthesametime 2USBAportoutputs 1USBBportinput 1USBCportinputandoutput 1lightninginputport Fastchargingspecifications Anyportsupportsfastcharging IntegratedQC2.0/QC3.0outputfastchargingprotocol Integra	INJOINICInjoinic Technology Co.,Ltd. 英集芯深圳英集芯科技股份有限公司	INJOINIC
IP5305T	文件：2.17319 Mbytes Page：32 Pages	Supports two-way SCP, VOOC, PD3.0 and other fast charging protocols, supports 2~5 cells in series Integrated buck-boost driver, maximum power 100W mobile power supply SOC characteristic SupportmultipleUSBportsatthesametime 2USBAportoutputs 1USBCportinput/output 1USBBportorLightningportinputorCportinput/output out Fastchargingspecifications Anyportsupportsfastcharging IntegratedQC2.0/QC3.0/QC3+outputfastchargin	INJOINICInjoinic Technology Co.,Ltd. 英集芯深圳英集芯科技股份有限公司	INJOINIC
IP5305T	文件：961.87 Kbytes Page：11 Pages	1.2A Charging 1.0 A Discharge Highly Integrated Mobile Power SOC	INJOINICInjoinic Technology Co.,Ltd. 英集芯深圳英集芯科技股份有限公司	INJOINIC
IRF5305	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5305	文件：334.6 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF5305	文件：124.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305	文件：3.58041 Mbytes Page：8 Pages	-55VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-31A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF5305L	文件：171.24 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.06ohm,Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305L	文件：1.22797 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe highestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinte	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5305L	文件：272.87 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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