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INN650DA04中文资料650V GaN Enhancement-mode Power Transistor数据手册Innoscience规格书

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厂商型号

INN650DA04

功能描述

650V GaN Enhancement-mode Power Transistor

制造商

Innoscience innoscience

中文名称

英诺赛科 英诺赛科(苏州)科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :INN650DA04

  • 生产厂家

    :Innoscience

  • Package

    :DFN 5X6

  • VDS max(V)

    :650

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :365

  • RDS(on) max(mΩ)

    :480

  • QG(nC)

    :1.3

  • Qoss(nC)

    :10.5

  • ID max(A)

    :7

  • IDPuls max(A)

    :9

  • Models

    :on-request

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