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INN650D080BS中文资料650V GaN Enhancement-mode Power Transistor数据手册Innoscience规格书

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厂商型号

INN650D080BS

功能描述

650V GaN Enhancement-mode Power Transistor

制造商

Innoscience innoscience

中文名称

英诺赛科 英诺赛科(苏州)科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 8:40:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :INN650D080BS

  • 生产厂家

    :Innoscience

  • Package

    :DFN 8X8

  • VDS max(V)

    :650

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :60

  • RDS(on) max(mΩ)

    :80

  • QG(nC)

    :6.2

  • Qoss(nC)

    :60

  • ID max(A)

    :29

  • IDPuls max(A)

    :58

  • Models

    :available

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