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INN650D150A中文资料HV GaN HEMT数据手册Innoscience规格书

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厂商型号

INN650D150A

功能描述

HV GaN HEMT

制造商

Innoscience innoscience

中文名称

英诺赛科 英诺赛科(苏州)科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 8:40:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :INN650D150A

  • 生产厂家

    :Innoscience

  • Package

    :DFN 8X8

  • VDS max(V)

    :650

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :106

  • RDS(on) max(mΩ)

    :150

  • QG(nC)

    :3.5

  • Qoss(nC)

    :33

  • ID max(A)

    :17

  • IDPuls max(A)

    :32

  • Models

    :available

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