STD10P10F6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的 P 沟道功率 MOSFET，隶属 STripFET™ F6 系列，采用 DPAK（TO-252-3） 表面贴装封装，主打低导通电阻与高效开关特性，适用于低压大电流开关场景。
核心参数
漏源击穿电压：-100V
连续漏极电流：-10A（Tc）
导通电阻：Rds(on) max=0.18Ω（VGS=10V, Id=5A），典型值 0.136Ω
栅源电压：±20V
栅极电荷：Qg=16.5nC（VGS=10V）
功率耗散：40W（Tc）
工作结温：-55°C ~ +175°C
合规性：RoHS 合规
关键特性
采用 STripFET F6 沟槽栅工艺，低导通损耗，提升电路效率；
低栅极电荷，开关速度快，驱动损耗低；
内置续流二极管，抗雪崩能力强，可靠性高；
紧凑 DPAK 封装，布局面积小，适配高密度电路。
典型应用
电源管理（同步整流、降压 / 升压电路）
电机驱动、负载开关
电池保护、便携式设备
工业控制、汽车电子辅助电路
