FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA（Tc）
驱动电压 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 2.5V @ 250µA
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 50 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散 830mW（Tc）
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-236AB
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 2N7002
