近期，全球存储行业进入新一轮涨价周期，涵盖 NAND 闪存与 DRAM。多家厂商已启动价格上调与产品结构调整，供需格局明显转向卖方市场。以下为要点整理与行业脉络梳理（避免冗词与重复，便于转发使用）。
一、渠道动态与价格节奏
SanDisk：面向全渠道与消费者产品上调价格10%+，即日起仅对新报价/新订单生效，既有承诺不受影响；后续将定期评估并可能继续调整。
美光：渠道端传出短期停止报价，协议价取消，DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5 或上调20%–30%（预计停报约一周），以再定价匹配供需。
兆易创新：确认二季度起 DRAM 合约价上行，三季度延续，利基型 DRAM 收入下半年有望明显增长。
二、价格驱动与品类分化
DRAM 与 NAND 同步具备上涨动能，但节奏不同：
DRAM：据 CFM 闪存市场，近半年指数涨约72%。原厂自去年三季度起将传统 DRAM 产能转往 DDR5、HBM 等高毛利产品；今年4月起陆续停产 DDR4、LPDDR4X 等旧制程，长尾需求难以完全覆盖，二季度起 DDR4、LPDDR4X 拉涨并预计延续至年底。HBM 产能挤占叠加制程切换，DDR5、LPDDR5X 下半年趋紧，涨势扩大至全线 DRAM。
NAND：整体仍低位，但服务器 NAND 因北美需求强劲与“高接受度”客户优先策略，国内供给被挤占，四季度有望上调；移动端新品提高容量配置，供需趋紧。另有厂商退出部分移动 NAND（如 UFS 5.0）研发，份额将被其余供应商承接，四季度 mobile NAND 预计小幅上行。
展望：CFM 指出四季度或迎普涨，成为明年春季行情的基调铺垫。
三、下游需求侧变化
AI 服务器强劲：HPC、AI 训练/推理带动 HBM/DDR5 与企业级 SSD 需求，高规格、低功耗产品优先供给头部客户。
手机端提容加速：高端机型起步容量提升，顶配拉高至 2TB 等，带动 mobile NAND/LPDDR 系列用量。
客户库存修复：下游去库告一段落，真实需求回归，价格弹性显现。
四、国内厂商的应对与机会
供给缺口转移红利：海外原厂聚焦高利润产品，利基 DRAM 让位，国内厂商切入窗口打开。
兆易创新（利基 DRAM）
价格自3月起上行，二季度涨幅显著；毛利率自一季度起爬升至两位数以上。
DDR4 8Gb 年初量产，赶上短缺期，已在 TV、工业等落地量产，DRAM 收入占比提升至60%以上；LPDDR4 小容量占比达两位数。
目标：全年 DRAM 线收入同比增长50%+；数年内争取国内利基 DRAM 市场约三分之一份额。
江波龙（Longsys）
判断自2025年3月底起需求实质回暖；受原厂谨慎供给影响，三季度服务器与手机存储仍具上行动能。
企业级 PCIe SSD 与 RDIMM 已批量导入国内头部企业，布局 CXL 2.0、MRDIMM 等新形态内存；发布 SOCAMM2，主打近 CPU 布局与能效/散热优势，突破传统 RDIMM 瓶颈。
自研主控累计出货超 8000 万颗，UFS 4.1 正在多家 Tier1 验证，全年出货预计放量。
北京君正
侧重汽车、工业医疗等高可靠细分，供给稳定；汽车市场复苏带动存储需求改善。
车规存储市场约 20+ 亿美金，智能座舱/自动驾驶带来 LPDDR4 大容量需求（8G/16G/32G+）；新工艺 DDR4、LPDDR4 持续导入，有望带来增长。
市场规模判断：利基 DRAM 约百亿美元体量，其中约一半为高可靠（车规/工业/医疗），另一半为低端消费。
五、供需与策略观察
供给侧：HBM 挤占、制程切换、旧品停产，叠加原厂审慎扩产，维持紧平衡；价格由长协与重点客户定锚，渠道弹性加大。
需求侧：AI、数据中心、车载智舱/智能驾驶、手机高配成为主动力；传统 PC 客显性复苏有限但高端配置拉动单位容量。
策略建议（给渠道/整机/方案商）
提前锁定关键料（DDR5、LPDDR5X、企业级 NAND/SSD），拉长交期预期。
对旧制程（DDR4、LPDDR4/4X）做好替代与寿命管理，关键行业（车规/工业）关注 LTB 与兼容性验证。
价格条款采用阶梯或浮动机制，避免单点风险；库存以“可覆盖交付周期+安全库存”为度。
关注国内厂商在利基 DRAM 与主控/模组上的导入节奏，适时进行双供布局。
高温场景与能效诉求上，可评估 SOC/近内存形态与新型模组（如 SOCAMM2、MRDIMM）的验证计划。
六、结论
本轮涨价由结构性供给收缩与高端需求共振驱动，DRAM 涨幅领先，NAND 四季度跟涨可期。
海外原厂的产能与客户优先策略将继续影响国内供应，渠道价格不稳定性上升。
国内厂商在利基 DRAM、车规/工业与自研主控方向获得窗口期，量价齐升可期，但需要把握质量认证与长期供货能力。
