
技术 磁耦合
通道数 1
电压 - 隔离 1200Vrms
共模瞬变抗扰度 200kV/µs
传播延迟 tpLH / tpHL -
脉宽失真 -
上升/下降时间 15ns,15ns
电流 - 输出高、低 5.5A,5.5A
电流 - 峰值输出 14A
电压 - 正向 (Vf) -
电压 - 输出供电 10V ~ 35V
等级 -
资质 -
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装 PG-DSO-8-66